11月2日消息，据媒体报道，在本季度将NAND闪存芯片报价调涨10%至20%之后，三星计划明年一季度与二季度再次逐季调涨20%。
三星表示，此举是为了努力稳定NAND价格、达成明年上半年逆转市场等目标的一系列行动。
根据近日三星向客户公布的四季度官价，移动DRAM合约价环比涨幅在11%-25%左右。
NAND闪存方面，UFS4.0涨幅约2%，eMCP、uMCP涨幅不等，平均涨幅20%以上，最高涨幅高达66%。
三星涨价的底气主要还是来自于其减产计划，在10月31日的财报会议上，三星执行副总裁直言，三星接下来的减产行动，将比目前DRAM缩减产出的规模更大。
这也意味着，目前三星在积极提高报价的同时，也通过持续减产来控制市场供给量。
作为全球存储芯片的龙头企业，三星带头涨价也将会使整体市场价格上涨。
此外，随着主要厂商减产，以及终端厂商需求的复苏，NAND闪存预计在今年四季度开始价格反弹，并开启新一轮上涨周期。
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