10月25日消息，知名半导体行业观察机构TechInsights称，在一款消费电子产品中发现了世界上最先进的3D NAND存储芯片，它来自中国顶级的3D NAND制造商长江存储。
据悉，TechInsights在2023年7月推出的致态SSD中发现了由长江存储制造的232层QLC 3D NAND芯片，这种新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND产品中最高的比特密度。
本次的发现，超越了同样在开发232层QLC 3D NAND芯片的美光和英特尔(Solidigm)。
长江存储232L QLC芯片
致态Ti600 1TB固态硬盘
TechInsights表示，尽管受到制裁后困难重重包括该公司受限于向苹果供应基于中国生产的iPhone零部件，以及被列入美国的实体名单， 但长江存储仍在静静地开发最先进的技术。
近期存储市场的低迷，以及许多内存制造商专注于节省成本的举措，可能为长江存储提供了机遇，使其具有领先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。
值得注意的是，三星目前的战略是专注于V9 3D NAND的TLC和QLC，因此没有在236层(V8) 3D NAND上开发QLC。
但是，三星在上周举行的内存技术日上，首次公开了面向移动市场的QLC产品采用176层(V7)技术的512GB UFS 3.1产品。
SK海力士的主要业务是TLC，而不是QLC产品。
越来越多的证据表明，中国正在努力克服贸易限制、建立本土半导体供应链的势头比预期的要成功。
此前，TechInsights是首批拆解华为Mate 60 Pro的机构，在拆解完之后，TechInsights副主席Dan Hutcheson给出了如下评价：
这确实是一个令人惊叹的质量水平，是我们始料未及的，它肯定是世界一流的。因此，我们要祝贺中国，能够制造出这样的产品。这意味中国拥有非常强大的能力，而且还在继续发展技术。
